SK하이닉스, 미국에 첫 HBM 생산거점 착공…2029년 HBM4E 양산

SK하이닉스가 ê³½ë…¸ì • SK하이닉스 CEO(가운데)ê°€ 27일(현지시간) 미국 ì¸ë””ì• ë‚˜ì£¼ 웨스트라피엣 퍼듀대학교에서 열린 AI 메모리 생산 기지 기공식에서 마이크 브런 ì¸ë””ì• ë‚˜ 주지사(왼쪽), 미치 대니얼스 퍼듀대학교 총장(오른쪽) 등 참석자들과 함께 착공을 알리는 버튼을 누른 ë’¤ 축하 박수를 ì¹˜ê³ ìžˆë‹¤. SK하이닉스 ì œê³µ

SK하이닉스가 미국 ì¸ë””ì• ë‚˜ì£¼ì— ê³ ëŒ€ì—­í­ë©”ëª¨ë¦¬(HBM) í›„ê³µì • 생산기지를 구축한다. 40ì–µ 달러 이상을 투자해 첨단 패키징 공장을 ì§“ê³ 2029ë…„ 하반기부터 차세대 HBM 양산에 들어갈 계획이다. 미국 ë‚´ 인공지능(AI) 반도체 공급망을 넓히는 동시에 주요 ê³ ê°ê³¼ 가까운 곳에 생산·연구개발(R&D) ê±°ì ì„ ë§ˆë ¨í•œë‹¤ëŠ” 구상이다.

SK하이닉스는 지난 27일(현지시간) 미국 ì¸ë””ì• ë‚˜ì£¼ 웨스트라피엣 퍼듀대학교에서 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산기지 기공식을 ì—´ì—ˆë‹¤ê³ 28일 밝혔다. SK하이닉스가 미국에 반도체 생산시설을 구축하는 것은 처음이다. 2028ë…„ 10ì›” 클린룸을 ì™„ê³µí•˜ê³ 2029ë…„ 하반기부터 ë³¸ê²©ì ì¸ 양산에 들어간다.

ì¸ë””ì• ë‚˜ 팹은 HBM을 ì ì¸µÂ·íŒ¨í‚¤ì§•í•˜ê³ ì„±ëŠ¥ì„ 검사하는 í›„ê³µì • 생산기지다. 한국에서 생산한 최첨단 웨이퍼를 ê°€ì ¸ì™€ 어드밴스드 패키징과 테스트를 거친 ë’¤ 완성된 HBM을 미국 ê³ ê°ì—ê²Œ 공급한다. SK하이닉스는 2024ë…„ 4ì›” ì¸ë””ì• ë‚˜ 투자 계획을 처음 발표한 ë’¤ 공장 건설을 준비해왔다.

ê³½ë…¸ì • SK하이닉스 ìµœê³ ê²½ì˜ìž(CEO)는 현지에서 ì–‘ì‚° ì œí’ˆìœ¼ë¡œ 7세대 HBM인 ‘HBM4E’를 ì œì‹œí–ˆë‹¤. ìƒì‚°ëŠ¥ë ¥ì€ ì—°ê°„ 웨이퍼 수십만장 규모가 ë ì „ë§ì´ë‹¤.

이번 투자는 미국이 자국 ë‚´ AI 반도체 공급망을 확충하는 흐름과도 ë§žë¬¼ë ¤ 있다. AI 데이터센터 투자가 급증하면서 HBM이 핵심 부품으로 ë– ì˜¤ë¥¸ 가운데, ì¸ë””ì• ë‚˜ 팹이 가동되면 미국 내에서도 HBM 첨단 패키징 생산이 가능해진다.

미국 ì •ë¶€ë„ 반도체지원법(CHIPS Act)에 따라 이 í”„ë¡œì íŠ¸ì— 최대 4ì–µ5800만달러의 ì§ì ‘ 보조금과 5ì–µ 달러의 대출을 지원하기로 했다.

SK하이닉스 입장에서는 미국 AI 생태계와의 ì ‘ì ì„ 넓힐 수 있다. 주요 ê³ ê°ê³¼ 가까운 곳에서 생산과 R&D를 진행하면 ì œí’ˆ 개발과 ê³ ê° 대응 속도를 높일 수 있다. 생산라인과 함께 어드밴스드 패키징 R&D í…ŒìŠ¤íŠ¸ë² ë“œë„ 구축해 ê³ ê°Â·ëŒ€í•™Â·í˜‘ë ¥ì‚¬ì™€ 차세대 패키징 ê¸°ìˆ ê°œë°œê³¼ ì‹œì œí’ˆ 검증을 ì§„í–‰í• ê³„íšì´ë‹¤. SK하이닉스는 ì¸ë””ì• ë‚˜ë¥¼ ì„ íƒí• ë‹¹ì‹œ 퍼듀대의 반도체 연구 역량과 인재 í’€, 현지 ì œì¡° 인프라 등을 주요 배경으로 꼽았다.

현지 공급망 확대도 병행한다. SK하이닉스에 따르면 100여개 소재·부품·장비 í˜‘ë ¥ì‚¬ê°€ 웨스트라피엣 진출 등을 ë…¼ì˜í•˜ê³ ìžˆë‹¤. 회사는 공장 건설과 운영 ê³¼ì •ì—ì„œ 미국 ë‚´ 약 7000개의 ì§Â·ê°„ì ‘ 일자리가 ì°½ì¶œë ê²ƒìœ¼ë¡œ 예상했다.