SK hynix prepara nova geração de memória HBM com tecnologia de empacotamento da Intel

A SK hynix participou da Hot Chips 2026, onde fez uma apresentação para ilustrar seus planos em avançar o desenvolvimento de suas soluções HBM.

Entre as diferentes medidas sendo tomadas para empilhar mais chips DRAM em cada módulo sem comprometer eficiência, um importante destaque vai para tecnologias de empacotamento, como a Intel EMIB .

As memórias HBM mais avançadas da SK hynix atualmente usam uma estrutura 2.5D no seu envelopamento, em uma solução die to die no interposer.

Passando para 3D, será possível fazer diretamente die sobre die, aumentando a densidade de componentes HBM e o número de camadas empilhadas.

Fonte: SK hynix A tabela abaixo mostra os avanços atuais em HBM, com a geração mais recente sendo HBM4, começando nesse momento a aparecer em aceleradores avançados para IA.

Como mostram as informações, a evolução principal em relação à geração anterior está na banda máxima, que alcança 2.048GB/s.

Fonte: SK hynix A SK hynix quer passar para um sistema de ligamento híbrido no envelopamento de HBM, com expectativas de que isso vai permitir criar módulos com mais de 20 camadas, resultando em mais performance, e alta condutividade para melhor eficiência energética.

SK hynix pode usar tecnologia da Intel, mas não deve deixar a TSMC Falando dos desafios para o futuro da HBM, a gigante das memórias divulgou slides falando das dificuldades que o empacotamento 2.5D ainda representam nos avanços desses componentes, ressaltando como as próximas gerações da tecnologia podem beneficiar os módulos, enquanto a empresa caminha para um envelopamento 3D.

Fonte: SK hynix Como mostra a imagem acima, as soluções de empacotamento avançado incluem a Intel EMIB, mas ainda não abrem mão da TSMC, com sua próxima geração CoWoS-L.

Foi feito até um comparativo mostrando como a solução mais recente da empresa taiwanesa reduz o stress no interposer em relação ao CoWoS-S.

Fonte: SK hynix Leia mais: SK hynix vai investir mais de US$ 38 bilhões para construir novas fábricas de memória Sandisk e SK hynix divulgam primeiras especificações para memórias HBF Patente revela chip de IA da OpenAI com memória massiva e tecnologia estilo Intel EMIB A corrida pelo HBM4 já está em suas etapas finais, e vai mostrar a maior parte de seus resultados no início do ano que vem.

Agora, empresas como SK hynix e Samsung mostram como se preparam para continuar a disputa nas gerações seguintes da tecnologia de memórias, apostando ainda na gigantesca demanda acelerada pelas necessidades da IA generativa.

Via: WCCFTech