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Tecnología

CXMT asegura estar lista para colocar a China a la vanguardia de la memoria DRAM

Xataka ·
CXMT asegura estar lista para colocar a China a la vanguardia de la memoria DRAM

A CXMT ( ChangXin Memory Technologies ), el mayor fabricante chino de circuitos integrados DRAM, parece irle cada vez mejor.

La crisis de los componentes que ha desencadenado la proliferación de los centros de datos para inteligencia artificial (IA) le está ofreciendo la oportunidad de capturar una parte del mercado que no pueden atender SK hynix, Samsung y Micron Technology.

Y está intentando hacerlo .

De hecho, está protagonizando un ascenso que parecía impensable hace apenas dos años.

Esta compañía ha incrementado su beneficio neto más de un 1.688% en un solo trimestre, ha firmado un contrato con Tencent valorado en unos 20.000 millones de yuanes (unos 2.750 millones de dólares) para suministrar DRAM para servidores, y ya ostenta una cuota global del 7,67% según Omdia , lo que la convierte en el cuarto mayor fabricante del planeta y el primero de China.

Además, ha incrementado su capacidad de producción de chips DRAM casi cinco veces durante los últimos cuatro años.

Las cifras de CXMT son cada vez mejores, pero para sostener este crecimiento es imprescindible que continúe desarrollando la tecnología de sus circuitos integrados de memoria.

Solo así podrá competir con las tres compañías que lideran este mercado (SK hynix, Samsung y Micron), y, de paso, reducir la desventaja de China en la fabricación de chips DRAM.

Este es el contexto en el que CXMT ha dado un paso hacia delante muy importante: ha desarrollado una nueva arquitectura de transistores.

De las celdas de memoria 6F² a 4F² El plan de CXMT para incrementar la competitividad de sus memorias DRAM requiere aumentar la densidad de almacenamiento.

Según SCMP , planea introducir la tecnología que ha desarrollado en sus módulos de memoria para servidores antes de que termine 2026, por lo que, sobre el papel, su nueva arquitectura de transistores debe encontrarse en una fase muy avanzada de producción.

Sea como sea, el corazón de esta innovación es el nuevo diseño de las celdas de memoria.

En Xataka "El espacio-tiempo podría no ser fundamental": hablamos con Juan Maldacena, el 'Einstein' de nuestra época y claro candidato al Nobel de Física La arquitectura convencional usa celdas con una superficie de 6F², mientras que el nuevo diseño aspira a reducirla a 4F² Estas celdas son las unidades básicas que almacenan los datos en un chip DRAM.

La arquitectura convencional utiliza celdas con una superficie teórica de 6F², mientras que el nuevo diseño aspira a reducirla a 4F² .

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