HBM 넘어 3D D램·HBF로…SK하이닉스, AI 병목 깰 ‘메모리 계층’ 재편

SK하이닉스가 급성장하는 인공지능(AI) 추론 시장의 전력 및 성능 병목을 해결하기 위해 전체 메모리 계층 구조를 재설계하는 차세대 기술 청사진을 공개했다.SK하이닉스 안현 개발총괄 사장(CDO)은 ‘SEDEX 2026’ 기조연설에 나서 AI 추론 수요 급증으로 기존 메모리 구조에서 새로운 병목 지점이 나타나고 있다고 진단했다. 안 사장은 고성능 메모리(HBM) 기술력을 지속적으로 다지는 한편, 3차원 적층 D램(3D Stacked DRAM)과 고대역폭 플래시(HBF) 등 신규 메모리 계층을 도입해 AI 인프라 전반의 연산 효율과 에너지 소모를 최적화해야 한다고 강조했다.안 사장은 글로벌 주요 기술 기업들이 AI 수요 폭증을 고려해 인프라 투자를 공격적으로 늘리고 있다고 짚었다.

AI 추론 시장은 작업 복잡성, 컨텍스트 길이, 요청 건수가 동시에 늘어나는 상호 곱셈 구조로 성장하고 있으며, 이로 인해 2030년 AI 인프라 규모는 2026년 대비 약 20배 수준까지 팽창할 것으로