삼성전자, 평택 반도체 신설공장 ‘3층 팹’으로 확대 추진

삼성전자가 경기도 평택 반도체 사업장의 핵심인 ‘P5 1·2공장(Fab 5·6기)’을 기존 ‘더블팹(복층)’에서 ‘트리플팹(3복층)’으로 확대하여 건설한다. 전 세계적인 인공지능(AI) 반도체 및 메모리 ‘슈퍼사이클(초호황)’에 맞춰 생산 능력을 극대화하기 위한 전략적 승부수다. 삼성전자뿐만 아니라 SK하이닉스 역시 용인 반도체 클러스터 내 신규 팹들을 모두 트리플팹(3복층)으로 구상하는 등 국내 반도체 팹이 더블팹 구조에서 트리플팹 구조로 급속히 전환하고 있다.

19일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 최근 평택 P5 1·2공장을 트리플팹으로 지어 올리기 위해 용적률을 종전 350%에서 최대 490%로 대폭 상향하는 내용의 ‘삼성전자 산업단지계획 변경안’을 제출했다. 이번 산단계획 변경은 경기도지사 검토를 거쳐 국토교통부 산업입지정책심의위 승인을 받아 최종 확정된다. 앞서 정부는 2023년 초 국토의 계획 및 이용에 관한 법률(국토계획법) 시행령을 개정해 반도체 등 국가첨단