“반도체 배선 저항 45% 뚝”…韓·美연구팀, 차세대 반도체 배선 소재 제어 기술 공동 개발

한·미 연구팀이 차세대 반도체 초미세 배선의 전기저항을 크게 낮출 수 있는 연구 성과를 발표했다. 미량의 탄소를 일시적 결정 성장 촉진제로 활용해 비정질 절연 기판 위에서도 금속 결정의 방향을 정밀하게 정렬하는 기술을 이용한 것으로, 새로운 반도체 배선 소재 설계 원리를 제시할 것으로 기대된다. 광주과학기술원(GIST·총장 임기철)은 조용륜 중앙기기연구소(GAIA) 첨단분석센터 박사가 삼성전자 SAIT(옛 삼성종합기술원) 및 미국 매사추세츠공과