TSMC, 1.6나노 칩 4분기 양산 전망…삼성 “1.4나노 칩 내년 양산”

세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 업체인 대만 티에스엠시(TSMC)가 1.6나노급 A16 공정 기술의 개발과 검증을 마치고 올해 4분기 양산에 들어갈 것으로 전해졌다.

20일 대만 자유시보는 업계 소식통을 인용해 티에스엠시가 A16 공정 개발·검증에 성공했으며, ‘슈퍼 파워 레일’(SPR)이라는 후면전력공급 기술을 적용했다고 보도했다. 티에스엠시는 올해 하반기 A16 양산 준비를 완료할 계획이라고 공식적으로 밝혀왔다.

기존 반도체는 신호와 전력 배선을 모두 웨이퍼 전면에 배치하지만 공정이 미세해질수록 배선 혼잡과 전력 손실이 커지는 것으로 알려졌다. A16은 전력 공급망을 웨이퍼 후면으로 옮겨 전면에는 신호 배선을 위한 공간을 확보했다. 티에스엠시는 이를 통해 데이터 이동 병목을 줄이고 전력 효율을 높였다.

티에스엠시는 A16은 2나노 개량형 반도체보다 같은 전력에서 처리 속도가 8∼10% 빠르다고 설명한다. 전력 소모가 큰 인공지능 가속기와 고성능컴퓨팅(HPC)용 반도체에 특히 적합한 것으로 알려졌다. A16은 티에스엠시가 2028년 양산을 목표로 개발 중인 1.4나노급 A14로 넘어가는 징검다리 제품이 될 전망이다.

0.1나노급의 차세대 미세공정을 둘러싼 경쟁은 치열하다. 인텔은 1.8나노 공정 개발과 검증을 마쳐 지난해부터 본격 생산에 들어갔고, 1.4나노 공정을 개발 중이다. 삼성전자도 후면전력공급 기술을 적용한 1.4나노 공정을 2027년부터 양산한다는 계획이다.