CXMT, 5세대 D램 공정 양산 돌입

중국 창신커지(CXMT)가 5세대 D램 공정 양산에 돌입했다고 로이터가 20일(현지시각) 보도했다. 매체에 따르면 CXMT의 5세대 플랫폼은 성능이 높은 메모리 반도체를 더 낮은 비용과 더 낮은 전력 소비로 생산하도록 설계됐다.

CXMT는 칩에서 데이터를 저장하는 메모리 배열의 핵심 구조 간 간격을 11.95㎚(나노미터) 수준까지 줄였다고 했다. 메모리 배열의 핵심 구조 간격을 줄이면 같은 면적에 더 많은 셀을 집적할 수 있어 용량과 원가 경쟁력이 동시에 개선된다.