삼성전자 SAIT, AI 반도체 '초미세 배선 저항' 난제 풀 기술 구현
삼성전자 SAIT(삼성종합기술원)와 GIST 중앙기기연구소, 미국 매사추세츠공과대학교(MIT) 연구진이 함께 수행한 탄소 활용 초미세 배선 저항 감소 기술 연구 결과가 세계 최고 권위의 학술지 중 하나인 '사이언스' 본지에 지난 13일 게재됐다.
AI 반도체의 성능 경쟁이 치열해지면서 반도체 회로를 더욱 작고 촘촘하게 만드는 '미세화' 기술의 중요성은 더욱 중요해졌다. 하지만 회로가 미세해질수록 칩 내부에서 전기 신호를 전달하는 금속 배선도
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